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NXP Semiconductors
PESD5V0L1UA/UB/UL
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P PP
I PP
T j
T amb
T stg
peak pulse power
peak pulse current
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
-
? 55
? 65
42
3.5
150
+150
+150
W
A
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1]
-
26
kV
(contact discharge)
machine model
MIL-STD-883 (human
-
-
400
10
V
kV
body model)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Table 8.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESD5V0L1UA_UB_UL_1
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 17 June 2009
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